美國化合物半導(dǎo)體材料供應(yīng)商II-VI官方宣布，已和東莞天域半導(dǎo)體（TYSiC）完成了一項(xiàng)超過1億美元的合同。

來源：II-VI

II-VI稱，將向東莞天域半導(dǎo)體提供150mm（6英寸）的碳化硅襯底，從本季度開始到2023年年底交付。

II-VI新創(chuàng)企業(yè)和寬帶電子技術(shù)業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Sohail Khan說：“2021年11月，我們很高興地宣布，天域公司選擇了II-VI作為其主要的戰(zhàn)略合作伙伴，供應(yīng)用于電力電子的150毫米SiC襯底，隨著終端需求的大幅增長，天域公司必須通過這個(gè)長期的、大批量的合同來確保其供應(yīng)，這個(gè)合同將是經(jīng)常性的，并且隨著時(shí)間的推移，其價(jià)值也在增長?！?nbsp; 

為了滿足亞洲市場的需求，II-VI于2021年在中國福州的II-VI“亞洲地區(qū)總部”建立了一條SiC襯底的后端加工生產(chǎn)線，其潔凈室面積超過50000平方英尺。

來源：天域

公開信息顯示，天域(TYSiC)成立于2009年，是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的民營企業(yè)。同時(shí)，天域是中國第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949)的企業(yè) 。

目前，天域在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。憑著最先進(jìn)的外延爐設(shè)備、外延技術(shù)和最先進(jìn)的測試和表征能力，為全球客戶提供n-型和p-型摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。