8月2日據(jù)路透社報(bào)道，美國(guó)正考慮限制向中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商出口美國(guó)芯片制造設(shè)備，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

圖源：路透社截圖

白宮：長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美公司構(gòu)成“直接威脅”

路透社援引知情人士透露，美國(guó)官員將禁止向中國(guó)出口用于制造128層以上 NAND芯片的設(shè)備。目前生產(chǎn)該類(lèi)芯片設(shè)備的美國(guó)大廠(chǎng)包括應(yīng)用材料( Applied Materials)和泛林集團(tuán)(LAM Research) 等廠(chǎng)商，對(duì)此知情人表示相關(guān)計(jì)劃正在討論階段，還沒(méi)有任何的法案起草程序。

如果該限制計(jì)劃獲得通過(guò)，意味著限制范圍將擴(kuò)大到包括禁止將美國(guó)芯片制造設(shè)備運(yùn)往在中國(guó)大陸境內(nèi)的NAND Flash工廠(chǎng)，其中也包括三星和SK海力士在中國(guó)大陸的工廠(chǎng)。據(jù)出口管制專(zhuān)家稱(chēng)這將標(biāo)志著美國(guó)首次通過(guò)出口管制，來(lái)針對(duì)中國(guó)生產(chǎn)沒(méi)有專(zhuān)門(mén)軍事用途的存儲(chǔ)芯片。

報(bào)道強(qiáng)調(diào)，成立于2016年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)是NAND Flash閃存制造領(lǐng)域的后起之秀。資料也顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)早已成功量產(chǎn)128層NAND Flash，并正在積極的研發(fā)232層NAND Flash，有傳聞稱(chēng)最快可能今年年底量產(chǎn)。

圖：長(zhǎng)江存儲(chǔ)芯片

美國(guó)白宮曾在2021年6月的一份報(bào)告中寫(xiě)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲得了約240億美元的中國(guó)補(bǔ)貼，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擴(kuò)張和低價(jià)產(chǎn)品對(duì)美光和西部數(shù)據(jù)構(gòu)成“直接威脅”。根據(jù)市場(chǎng)咨詢(xún)與調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole Intelligence 的資料顯示，西部數(shù)據(jù)與美光總計(jì)約占全球NAND Flash閃存產(chǎn)量25%的份額，長(zhǎng)江存儲(chǔ)約占5%，較一年前幾乎翻倍成長(zhǎng)。

因此未來(lái)一但美國(guó)禁止出口生產(chǎn)128層堆疊以上NAND Flash閃存芯片的生產(chǎn)設(shè)備給長(zhǎng)江存儲(chǔ)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能將因此而受困。據(jù)美國(guó)商務(wù)部稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已在接受商務(wù)部調(diào)查。

美國(guó)打壓中國(guó)芯片行業(yè)升級(jí)

美國(guó)負(fù)責(zé)出口管制的商務(wù)部發(fā)言人表示。“拜登政府專(zhuān)注于損害（中國(guó)）制造先進(jìn)半導(dǎo)體的努力，以解決美國(guó)的重大國(guó)家安全風(fēng)險(xiǎn)?！?span style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word !important;">此前美政府已禁止企業(yè)在未獲許可時(shí)，向部分中國(guó)芯片制造商出售可制造10nm或更先進(jìn)芯片的大多數(shù)設(shè)備。日前據(jù)彭博社報(bào)道，美國(guó)新規(guī)定將禁供范圍擴(kuò)大至14nm。

彭博社援引知情人士消息稱(chēng)，在過(guò)去兩周左右的時(shí)間里，所有美國(guó)設(shè)備制造商都收到了美國(guó)商務(wù)部的信件，要求它們不得向中國(guó)供應(yīng)用于制造14納米或以下芯片的設(shè)備。

對(duì)此美國(guó)兩家芯片設(shè)備公司泛林半導(dǎo)體（Lam Research）和科磊（KLA）已證實(shí)新規(guī)定將對(duì)中國(guó)的禁供范圍擴(kuò)大至14nm，并涵蓋了眾多行業(yè)中更廣泛的半導(dǎo)體產(chǎn)品，或波及更多公司。