5月17日，電子時報援引產(chǎn)業(yè)人士消息稱，長江存儲最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預計將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。

圖：已經(jīng)量產(chǎn)的128層QLC顆粒

報道稱，由于長江存儲128層3D NAND閃存工藝良率已改善至較好水平，長江存儲也將月產(chǎn)量擴大至10萬片晶圓。預計到2023年底，長江存儲月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場份額有望達到7-8%。

在3D閃存方面，目前美光、三星都已經(jīng)量產(chǎn)176層閃存，西數(shù)、鎧俠之前合作的是112層閃存，今年將量產(chǎn)162層堆棧的閃存，長江存儲192層閃存技術水平達到甚至超過了他們的量產(chǎn)型閃存。

不過三星今年底將量產(chǎn)224層堆棧的新一代3D閃存，美光近期也官宣了232層堆棧的3D閃存，只是要到明年才能量產(chǎn)，總體上還是會領先國產(chǎn)1-2年時間。

對于國產(chǎn)閃存來說，目前最關鍵的地方還不是技術，而是產(chǎn)能，長江存儲兩期工程的總產(chǎn)能也不過30萬片晶圓/月，相比三星、鎧俠等公司來說還是低不少，特別是這幾年全球半導體廠商都在擴大產(chǎn)能，2021年全球產(chǎn)能應該會超過200萬晶圓/月，未來幾年有望超過250萬晶圓/月。